。≒T1)CM=(20.35V-6V)×600mA=8.61W
考慮到留有一定余量,可。≒T1)CM為10W。
查詢晶體管參數(shù)手冊后選擇3DD155A作為調(diào)整管T1。該管參數(shù)為:PCM=20W,ICM=1A,BVCEO≥50V,完全可以滿足要求。如果實在無法找到3DD155A也可以考慮用3DD15A代替,該管參數(shù)為:PCM=50W,ICM=5A,BVCEO≥60V。
選擇調(diào)整管T1時需要注意其放大倍數(shù)β≥40。
調(diào)整管T2各項參數(shù)的計算原則與T1類似,下面給出各項參數(shù)的計算過程。
(BVT2)CEO=(BVT1)CEO=(UB1)OMAX=20.35V
同樣考慮到留有一定余量,取(BVT2)CEO為25V。
(IT2)CM=(IT1)CM÷βT1
。↖T2)CM=600mA÷40=15mA
。≒T2)CM=((UB1)OMAX-UOMIN)×(IT2)CM
。≒T2)CM=(20.35V-6V)×15mA=0.21525W
考慮到留有一定余量,可。≒T2)CM為250mW。
查詢晶體管參數(shù)手冊后選擇3GD6D作為調(diào)整管T2。該管參數(shù)為:PCM=500mW,ICM=20mA,BVCEO≥30V,完全可以滿足要求。還可以采用9014作為調(diào)整管T2,該管參數(shù)為:PCM=450mW,ICM=100mA,BVCEO≥45V,也可以滿足要求。
選擇調(diào)整管T2時需要注意其放大倍數(shù)β≥80。
則此時T2所需要的基極驅(qū)動電流為:容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持
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