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雙向可控硅調(diào)光電路實(shí)例介紹

時(shí)間:2009-12-10 21:27:19來源:原創(chuàng) 作者:admin 點(diǎn)擊:次
無

      本文用一個(gè)臺燈調(diào)光實(shí)例說明介紹一下雙向可控硅的調(diào)光電路，先說明一下電路的工作原理，鍵控式調(diào)光燈利用兩個(gè)輕觸式按鍵調(diào)光，當(dāng)按下其中一個(gè)按鍵時(shí)，光線就會由強(qiáng)變?nèi)�，如是按下別一個(gè)按鍵時(shí)，光線就會由弱變強(qiáng)。從而達(dá)到調(diào)光的目的。



雙向可控硅調(diào)光電路原理介紹：


 


 






如圖所示，VD1、VD2、C2、C3組成電容降壓式直流電源，由MOS場效應(yīng)管、C1等組成雙向可控硅VS的觸發(fā)電路。DW為保護(hù)二極管，防止場效應(yīng)管柵極擊穿。當(dāng)按下S1時(shí)，由R1向C1充電，使柵極電壓上升，雙向可控硅的觸發(fā)電流上升，導(dǎo)通角變大，光線增加，當(dāng)按下S2時(shí)，C1沿R2放電，柵極電壓下降，雙向可控硅的導(dǎo)通角變小，光線變暗。當(dāng)S1、S2都放開時(shí)，由于MOS場效應(yīng)管的柵源電阻很大，C1兩端的電壓將基本不變，所以可控硅的導(dǎo)通角也將不變，光線穩(wěn)定下來。場效應(yīng)管JF的IDSS≥5ｍA，BVDS≥15V，可控硅VS選用1A/400V即可，如3CTS1A等。其它元件無特殊要求，具體數(shù)值已標(biāo)在圖中。電阻R1、R2的數(shù)值決定了電容C1的充放電時(shí)間。在制作時(shí)，若光線變化太快時(shí)，應(yīng)適當(dāng)增大R1、R2的數(shù)值，反之應(yīng)減小。電路實(shí)用性非常大，在制作調(diào)試時(shí)，要耐心調(diào)試，一定會達(dá)到最佳效果。下面是元器件參數(shù)表：



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